| 关于新SI的直流电阻标准可能性的探讨 |
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| 中文摘要: |
| 在忽略London透射深度的前提条件下，有平行轴的圆筒状导体的静磁场与圆筒状普通导体的静电场有相同的几何形状。这一现象结合关于静电场的汤姆逊──拉波德理论，可得出求解SI制中直流电阻产。的新方法，即其中POC是真空状态中的阻抗，fJ是通过电阻R。两端的约瑟夫森电压频率，加pt是干涉器光源的干涉频率，nfr是光学干涉器的条纹记数，nfg是超导量干干涉器件磁通量记数。本义给出了此方法的理论依据，提供了进一步的理论结果，并指出实际应用这一标准的可能性。关于新SI的直流电阻标准可能性的探讨@刘旭东 |
| 英文摘要: |
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| 刘旭东 |
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| DOI： |
| 引用本文：刘旭东.关于新SI的直流电阻标准可能性的探讨[J].计测技术,1994,(3):. |
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