硅片在快速热处理系统中的温度测量
  
HTML  查看全文  查看/发表评论  下载PDF阅读器
中文摘要:
      国外为了提高计算机硅片的集成度和产品的合格率,开展了硅片快速热处理的研究,在这项新技术中温度测量起着关键的作用,由于地快速热化学蒸汽沉积过程中,硅片表面发射率变化影响了测温的准确性。本文介绍了在用辐射法测温时,同时测辐射量和反射率2个参数,然后由反射率计算发射率,通过计算机对测量结果进行了补偿的新技术,并介绍了原理,实验设备和初步实验结果。
英文摘要:
贺宗琴
长城计量测试技术研究所!北京市,100095
中文关键词:  硅片 温度测量 发射率 快速热处理 集成电路
英文关键词:
基金项目:
DOI:
引用本文:贺宗琴.硅片在快速热处理系统中的温度测量[J].计测技术,1995,(5):35~37,41.
关闭